22nm提上日程 台積電坐擁40nm展望28nm
Source: [url=http://vga.zol.com.cn/167/1675449.html]http://vga.zol.com.cn/167/1675449.html[/url]在日本橫濱舉行的台積電日本高管論壇上，台積電研發部門高級副總裁蔣尚義談及了多個熱門話題，包括40nm和28nm工藝、產能和良品率問題、高K材料技術、未來的22nm工藝等等。
[b]1、40nm工藝產能[/b]
蔣尚義表示，40nm工藝上馬初期客戶需求量就非常高，遠遠超過了此前世代工藝，因此在產能上很難及時滿足。
目前台積電Fab 12工廠每月能夠生產大約[b]8萬塊[/b]40nm工藝300毫米晶圓，Fab 14工廠也會很快加入其中，預計到今年底的時候兩座工廠的總產能會達到[b]16萬塊[/b]。
[b]2、40nm工藝良品率[/b]
蔣尚義稱，[b]40nm工藝遭遇的良品率已經在去年下半年徹底解決[/b]，正在迅速擴充產能以滿足客戶需求。
他指出，轉向45/40nm碰到的挑戰是前所未有的，比如[b]這是台積電第一次使用193nm沉浸式光刻技術[/b]，出現缺陷的幾率更高。開始的時候台積電使用的是第二代低K材料，K值為2.5，這時候材料非常脆弱，不過台積電也已經開始了第三代的研發。
[b]3、28nm工藝[/b]
台積電28nm工藝的第一個版本是低功耗的[b]28nm LP[/b]，引入了多晶硅柵和二氧化硅硝酸鹽，將於今年六月底投產。
[b]4、高K金屬柵極[/b]
高性能版本的[b]28nm HP[/b]工藝才會[b]第一次引入高K金屬柵極(HKMG)技術[/b]，[b]預計今年九月份投產[/b]，之後十二月增加[b]28nm HPL[/b]，同樣有HKMG。
[b]5、22nm工藝[/b]
28nm之後台積電計劃進軍到22nm工藝，時間間隔大概是兩年，所以，首次投產應該會在[b]2012年第三季度前後[/b]，但初期只有[b]高性能版本[/b]，[b]2013年第一季度末增加低功耗版本[/b]。
對於22nm和再往後的20nm，台積電將引入新的生產模型，首現就是[b]第二代HKMG技術[/b]。
[b]6、光刻技術[/b]
台積電會繼續使用193nm沉浸式光刻，如果[b]超遠紫外線(EUV)[/b]或者[b]多重電子束直接寫入[/b]技術能夠更成熟、成本更低，台積電會考慮引入。
蔣尚義透露，新技術成本相當高，比如單單一套EUV設備就需要[b]8000萬美元左右[/b]。
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