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標題: IBM在硅晶片上形成微細延遲線為實現光緩存開闢途徑 [打印本頁]

作者: koey0712 時間: 2006-12-30 06:39 PM 標題: IBM在硅晶片上形成微細延遲線為實現光緩存開闢途徑

IBM在硅晶片上形成微細延遲線為實現光緩存開闢途徑

IBM開發出了在硅晶片上形成微細延遲線（Delay Line）的技術。2007年1月創刊的英國硅光子光雜誌《自然光子學》（Nature Photonics）創刊號（2006年12月21日號）上刊登了有關論文。該技術設想利用光信號在高速電腦中進行晶片間傳輸，使用它能夠實現晶片間光傳輸所需的光信號緩衝。

IBM開發的延遲線是指利用硅晶片上的導光線路形成曲率半徑最小為6.5μm的微環，然後將最多100個這樣的環串聯起來組成的元件。導光線路則是在 200mm SOI晶圓上形成厚2μm的SiO2層，再在SiO2層上形成硅圖案而製成的。硅圖案以“雙通道”為1組，截面尺寸為510×226nm。

這種延遲線通過延緩光的到達時間，實現和緩衝相同的效果。這種延遲線過去就有，但此次的延遲線特點是尺寸非常小。從延遲線的傳播損耗來說，通過波長 1.55μm的紅外線時只有1.7±0.1dB/cm。如果是晶片面積為0.09μm2的元件，可得到500ps以上的延遲。

資訊緩衝的記錄密度比過去高，“在0.03mm2的面積上可達10位，相當於老式軟盤機1成的記錄密度。在1個晶片上可集成數十萬個這樣的元件，此技術是實現晶片間光傳輸的重要一步”。

作者: twclub 時間: 2007-1-5 01:41 PM

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