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Originally posted by head at 2008-4-25 03:08 AM:

邊個
睇樣似邊個
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Har Gow Dumplings un Soy Sauce
Originally posted by head at 2008-4-25 03:07 AM:

雞爺大人當日刀肯定為左破碼去買RAM
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Har Gow Dumplings un Soy Sauce
Originally posted by mhkk at 2008-4-25 03:09:

可以甘廣
So雞爺大人1定要教識我
雞爺   好L難架叫你睇頂置帖 有冇睇 睇左大慨知幾難
DDR,DDR2與DDR3的區別
在相同 的系統外頻下,DDR,DDR2,DDR3的頻率分別增長2,4,8倍。可以提供很高的數據帶寬。


DDR,DDR2與DDR3的區別
DDR是一種繼SDRAM後產生的記憶體技術,DDR,英文原意為“DoubleDataRate”,顧名思義,就是雙資料傳輸模式。之所以稱其為“雙”,也就意味著有“單”,我們日常所使用的SDRAM都是“單資料傳輸模式”,這種記憶體的特性是在一個記憶體時鐘週期中,在一個方波上升沿時進行一次操作(讀或寫),而DDR則引用了一種新的設計,其在一個記憶體時鐘週期中,在方波上升沿時進行一次操作,在方波的下降沿時也做一次操作,之所以在一個時鐘週期中,DDR則可以完成SDRAM兩個週期才能完成的任務,所以理論上同速率的DDR記憶體與SDR記憶體相比,性能要超出一倍,可以簡單理解為100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR記憶體不向後相容SDRAM
DDR記憶體採用184線結構,DDR記憶體不向後相容SDRAM,要求專為DDR設計的主板與系統。
DDR-II記憶體將是現有DDR-I記憶體的換代產品,它們的工作時鐘預計將為400MHz或更高(包括現代在內的多家記憶體商表示不會推出DDR-II 400的記憶體產品)。從JEDEC組織者闡述的DDR-II標準來看,針對PC等市場的DDR-II記憶體將擁有400-、533、667MHz等不同的時鐘頻率。
高端的DDR-II記憶體將擁有800-、1000MHz兩種頻率。DDR-II記憶體將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR-II記憶體將採用0.13微米的生產工藝,記憶體顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。 DDR-II將採用和DDR-I記憶體一樣的指令,但是新技術將使DDR-II記憶體擁有4到8路脈衝的寬度。DDR-II將融入CAS、OCD、ODT等新性能指標和中斷指令。DDR-II標準還提供了4位、8位元512MB記憶體1KB的定址設置,以及16位元512MB記憶體2KB的定址設置。
DDR-II記憶體標準還包括了4位預取數(pre-fetch of 4 bits)性能,DDR-I技術的預取數位只有2位。
DDR3的市場導入時間預計為2006年下半,最高資料傳輸速度標準較達到1600Mbps。不過,就具體的設計來看,DDR3與DDR2的基礎架構並沒有本質的不同。從某種角度講,DDR3是為了解決DDR2發展所面臨的限制而催生的產物。
由於DDR2的資料傳輸頻率發展到800MHz時,其內核工作頻率已經達到200MHz,因此再向上提升較為困難,這就需要採用新的技術來保證速度的可持續發展性。另一方面,也是由於速度提高的緣故,記憶體的位址/命令與控制匯流排需要有全新的拓樸結構,而且業界也要求記憶體要具有更低的能耗,所以,DDR3要滿足的需求就是:
更高的外部資料傳輸率
更先進的位址/命令與控制匯流排的拓樸架構
在保證性能的同時將能耗進一步降低
為了滿足上述要求,DDR3在DDR2的基礎上採用了以下新型設計:
8bit預取設計,DDR2為4bit預取,這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz
採用點對點的拓樸架構,減輕位址/命令與控制匯流排的負擔
採用100nm以下的生產工藝,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加非同步重置(Reset)與ZQ校準功能。
下面我們通過DDR3與DDR2的對比,來更好的瞭解這一未來的DDR SDRAM家族的最新成員。
DDR3與DDR2的不同之處
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝(Packages)
DDR3由於新增了一些功能,所以在引腳方面會有所增加,8bit晶片採用78球FBGA封裝,16bit晶片採用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質。
3、突發長度(BL,Burst Length)
由於DDR3的預取為8bit,所以突發傳輸週期(BL,Burst Length)也固定為8,而對於DDR2和早期的DDR架構的系統,BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸,屆時可通過A12位址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是,任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(如4bit順序突發)。
3、定址時序(Timing)
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣,DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間,而DDR3則在5至11之間,且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4,而DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲(CWD),這一參數將根據具體的工作頻率而定。
4、新增功能——重置(Reset)
重置是DDR3新增的一項重要功能,並為此專門準備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能,如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時,DDR3記憶體將停止所有的操作,並切換至最少量活動的狀態,以節約電力。在Reset期間,DDR3記憶體將關閉內在的大部分功能,所以有資料接收與發送器都將關閉。所有內部的程式裝置將重定,DLL(延遲鎖相環路)與時鐘電路將停止工作,而且不理睬資料匯流排上的任何動靜。這樣一來,將使DDR3達到最節省電力的目的。
5、新增功能——ZQ校準
ZQ也是一個新增的腳,在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集,通過片上校準引擎(ODCE,On-Die Calibration Engine)來自動校驗資料輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後,將用相應的時鐘週期(在加電與初始化之後用512個時鐘週期,在退出自刷新操作後用256時鐘週期、在其他情況下用64個時鐘週期)對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
6、參考電壓分成兩個
對於記憶體系統工作非常重要的參考電壓信號VREF,在DDR3系統中將分為兩個信號。一個是為命令與位址信號服務的VREFCA,另一個是為資料匯流排服務的VREFDQ,它將有效的提高系統資料匯流排的信噪等級。
7、根據溫度自動自刷新(SRT,Self-Refresh Temperature)
為了保證所保存的資料不丟失,DRAM必須定時進行刷新,DDR3也不例外。不過,為了最大的節省電力,DDR3採用了一種新型的自動自刷新設計(ASR,Automatic Self-Refresh)。當開始ASR之後,將通過一個內置於DRAM晶片的溫度感測器來控制刷新的頻率,因為刷新頻率高的話,消電就大,溫度也隨之升高。而溫度感測器則在保證資料不丟失的情況下,儘量減少刷新頻率,降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計,並不見得市場上的DDR3記憶體都支援這一功能,因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度範圍(SRT,Self-Refresh Temperature)。通過模式寄存器,可以選擇兩個溫度範圍,一個是普通的的溫度範圍(例如0℃至85℃),另一個是擴展溫度範圍,比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度範圍,DRAM將以恒定的頻率和電流進行刷新操作。
8、局部自刷新(RASR,Partial Array Self-Refresh)
這是DDR3的一個可選項,通過這一功能,DDR3記憶體晶片可以只刷新部分邏輯Bank,而不是全部刷新,從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型記憶體(Mobile DRAM)的設計很相似。
9、點對點連接(P2P,Point-to-Point)
這是為了提高系統性能而進行了重要改動,也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中,一個記憶體控制器將只與一個記憶體通道打交道,而且這個記憶體通道只能一個插槽。因此記憶體控制器與DDR3記憶體模組之間是點對點(P2P,Point-to-Point)的關係(單物理Bank的模組),或者是點對雙點(P22P,Point-to-two-Point)的關係(雙物理Bank的模組),從而大大減輕了位址/命令/控制與資料匯流排的負載。而在記憶體模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標準DIMM(臺式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(伺服器)之分,其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2(高級記憶體緩衝器)。不過目前有關DDR3記憶體模組的標準制定工作剛開始,引腳設計還沒有最終確定。
除了以上9點之外,DDR3還在功耗管理,多用途寄存器方面有新的設計,但由於仍入於討論階段,且並不是太重要的功能,在此就不詳細介紹了。下面我們來總結一下DDR3與DDR2之間的對比:
DDR2與DDR3規格對比,業界認為DDR3-800將被限定于高端應用市場,這有點像當今DDR2-400的待遇,預計DDR3在臺式機上將以1066MHz的速度起步
從整體的規格上看,DDR3在設計思路上與DDR2的差別並不大,提高傳輸速率的方法仍然是提高預取位數。但是,就像DDR2和DDR的對比一樣,在相同的時鐘頻率下,DDR2與DDR3的資料帶寬是一樣的,只不過DDR3的速度提升潛力更大。所以初期我們不用對DDR3抱以多大的期望,就像當初我們對待DDR2一樣。當然,在能耗控制方面,DDR3顯然要出色得多,因此將可能率先受到移動設備的歡迎,就像最先歡迎DDR2記憶體的不是臺式機,而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領域,DDR3未來也將經歷一個慢熱的過程。
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Originally posted by mhkk at 2008-4-25 03:09:

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似你女神欣2
Originally posted by head at 2008-4-25 03:11 AM:

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Originally posted by mhkk at 2008-4-25 03:11:

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應該唔係  做咩想學既
Originally posted by mhkk at 2008-4-25 03:13:

大約知廣咩
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UP乜L
Originally posted by head at 2008-4-25 03:12 AM:

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傻仔
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