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Intel展示新材料 極紫外光刻走向實用

Source: http://news.mydrivers.com/1/167/167008.htm

在新式半導體光刻技術中,極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一,不過其實現難度也相當高,從上世紀八十年代開始探尋至今已經將近三十年,仍然未能投入實用。

極紫外光刻面臨的關鍵挑戰之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist),也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射非常敏感,這樣才能刻出圖案,但同時又必須能夠抵禦隨後的蝕刻和其他處理步驟。——可簡單參考【從沙子到芯片:且看處理器是怎樣煉成的

Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估,目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度(LWR)的光刻膠材料,最近終於取得了重大突破。

在際光學工程學會(SPIE)舉行的光刻大會上,Intel就進行了這方面的展示,使用一種正型化學放大光刻膠(CAR)結合極紫外底層,以及一種相應的漂洗劑,最終達成了22nm半節距(half pitch)分辨率,並滿足敏感度和LWR要求。

Intel據此驕傲地宣佈,經過數十年的不懈努力,極紫外光刻技術已經從研究層面邁向實用,當然了,真正商用仍尚需時日。



藍色部分即代表光刻膠

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