自主研發，投資240億美元的國產存儲芯片廠28日開工

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國內的半導體扶植基金把存儲芯片作為突破口，將耗資240億美元在武漢建設國內最大、最先進的存儲芯片基地，現在這個項目就要開始實施了——武漢新芯公司28日就會正式開工建設自主研發的晶圓廠。

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國內的半導體扶植基金把存儲芯片作為突破口，將耗資240億美元在武漢建設國內最大、最先進的存儲芯片基地，現在這個項目就要開始實施了——武漢新芯公司28日就會正式開工建設自主研發的晶圓廠。

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全球最主要的存儲芯片產能都掌握在美國、日本與韓國公司手中，DRAM內存是三星、美光及SK Hynix，NAND閃存領域則是三星、SK Hynix、東芝/閃迪、美光/Intel等四大豪門，國內所用的內存及閃存基本上都是進口的。在這種情況下，國內的半導體扶植基金把存儲芯片作為突破口，將耗資240億美元在武漢建設國內最大、最先進的存儲芯片基地，現在這個項目就要開始實施了——武漢新芯公司28日就會正式開工建設自主研發的晶圓廠。

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武漢新芯公司在大基金支持下將成為國內最大最先進的存儲芯片研發、生產基地

國產存儲芯片這個項目曾經吸引了國內多個城市競爭，去年確定落戶武漢市，由武漢新芯公司負責建設、運營。值得壹提的是，在競爭中落敗的合肥市並沒有放棄，他們聯合了前爾必達董事長阪本幸雄設立的兆基科技公司投資8000億日元在合肥建造另外的存儲芯片廠，國內壹下子要造出兩個存儲芯片基地了。

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合肥的項目還沒有最終成行，相比之下武漢的國產存儲芯片建設已經踏上正軌了，本月28日就會舉行首座12英寸晶圓廠動工儀式。他們的最終目標是籌資240億美元，至少會有2座12英寸晶圓廠，月產能高達30萬片晶圓，日後將成為中國最大、最先進的存儲器研發與生產制造基地。

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武漢新芯公司成立於2006年，是湖北武漢市的重大戰略投資項目，2008年12寸晶圓廠投產，原本是中芯國際旗下的晶圓廠，2013年中芯國際推出運營，武漢新芯成為獨立公司，由武漢市政府負責。目前武漢新芯戰地面積531畝，現有壹座12寸晶圓廠，主產NOR閃存。

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相比NAND閃存及3D閃存，NOR閃存目前來說已經不是主流了，這意味著新芯公司與國際公司存在的技術代溝。此前該公司也曾尋求與三星、SK Hynix及美光等公司技術合作，但最終都沒有結果，因此武漢新芯公司將采用自主研發、自主建廠的方式運營。

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根據之前的消息，新芯公司之前跟Spansion飛索半導體合作開發3D NAND閃存，這應該是他們的閃存技術來源了，但是不確定這種3D閃存的技術水平到底如何。

武漢新芯公司官網上今年的新聞只有壹條，不過最新的幾條新聞都是圍繞3D NAND閃存的，看起來他們也確實把3D閃存作為攻堅重點。

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目前存儲芯片市場上，隨著新工藝及投入的增大，三星、SK Hynix等公司的產能都在迅速提升，下半年內存價格都有可能暴跌40%，NAND閃存市場同樣也會降價的壓力，這對國產存儲芯片公司來說是個考驗。綜觀國內液晶及LED產業的掘起，國內公司都是靠著政府支持及補貼大打價格戰來占領市場的，存儲芯片領域同樣難逃這個命運。我們在支持國內公司做大做強的同時，也希望這些公司能以技術優勢立足而不是壹味拼低價，國內的鋼鐵產業現在就是個“榜樣”。

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