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同時，西方國家對中國開放65nm光刻機，並通過各種渠道遊說中國政府和國企，中國能夠采購到比國產更先

進的光刻機後，或多或少的影響了對光刻機核心零部件的研發，不同程度上減少了對上微的扶持力度。
因國內光刻機市場被外商占據，上微重金研發的90nm光刻機因光源技術上受制於人，導致產能不穩定，巨額

研發資金血本無歸。國家減少了扶持力度，導致上海微電子效益很差，研發人員無法安心研發技術，廠子人

心浮動，造成大批技術骨幹流失。

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西方國家絞殺+在沒有掌握核心設備生產能力+科研資金有限+技術團隊流失的情況下，上海微電子的光刻機

無法升級，所以到現在壹直卡在90nm。
隨著核高基02專項解決了光源、物鏡等核心部件受制於人的情況，國產光刻機技術進步即將迎來壹個發展期

，雖然據小道消息稱已經成功研發出55nm級別的光刻機，但由於有國外大廠淘汰的二手設備的存在，使國產

光刻機基本不具備市場競爭力。

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而本次上海微電子發布的平板顯示光刻機，產品良率高達95%的高亮度LED光刻機，MEMS和功率器件光刻機主

要針對LED制造和MEMS和功率器件等領域；同樣，中科院光電技術研究所自主研制成功紫外納米壓印光刻機

並非能取代ASML產品的存在，僅僅是在微納流控芯片加工、微納光學元件、微納光柵、NMEMS器件等微納結

構器件的制備方面具有市場潛力。該光刻機有可能是瑞典Obducat公司的Eitre-3同類型產品，而且很有可能

依舊處於實驗室階段。

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最後，期待這些國產光刻機早日產業化，也祝願國產光刻機能越做越好，縮短和ASML的技術差距。
（作者：鐵流  微信公眾號：tieliu1988）
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新華社成都3月23日電（記者李華梁）記者23日從中科院光電技術研究所獲悉，該所微電子專用設備研發團

隊自主研制成功紫外納米壓印光刻機。

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據中科院光電所微電子裝備總體研究室主任胡松介紹，該所自主研發的新型光刻機，將納米壓印這壹新型高

分辨力光刻技術，與具有低成本、高效率特點的紫外光刻技術有機結合。
記者了解到，這套設備采用新型納米對準技術，將原光刻設備的對準精度由亞微米量級提升至納米量級。對

準是光刻設備三大核心指標之壹，是實現功能化器件加工的關鍵。該所在國家自然基金的連續資助下，完成

基於莫爾條紋的高精度對準技術自主研發，取得專利20余項。

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“該技術在光刻機中的成功應用突破了現有納米尺度結構加工的瓶頸問題，為高精度納米器件的加工提供了

技術保障。”胡松說。
據悉，該設備可廣泛應用於微納流控晶片加工、微納光學元件、微納光柵、NMEMS器件等微納結構器件的制

備，具有廣闊的應用前景，目前已完成初試和小批生產，並已在高校與企業用戶中推廣。