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標題: 22nm提上日程台積電坐擁40nm展望28nm [打印本頁]

作者: kc7800_80k 時間: 2010-2-28 07:13 PM 標題: 22nm提上日程台積電坐擁40nm展望28nm

Source: http://vga.zol.com.cn/167/1675449.html

在日本橫濱舉行的台積電日本高管論壇上，台積電研發部門高級副總裁蔣尚義談及了多個熱門話題，包括40nm和28nm工藝、產能和良品率問題、高K材料技術、未來的22nm工藝等等。
1、40nm工藝產能
蔣尚義表示，40nm工藝上馬初期客戶需求量就非常高，遠遠超過了此前世代工藝，因此在產能上很難及時滿足。
目前台積電Fab 12工廠每月能夠生產大約8萬塊40nm工藝300毫米晶圓，Fab 14工廠也會很快加入其中，預計到今年底的時候兩座工廠的總產能會達到16萬塊。
2、40nm工藝良品率
蔣尚義稱，40nm工藝遭遇的良品率已經在去年下半年徹底解決，正在迅速擴充產能以滿足客戶需求。
他指出，轉向45/40nm碰到的挑戰是前所未有的，比如這是台積電第一次使用193nm沉浸式光刻技術，出現缺陷的幾率更高。開始的時候台積電使用的是第二代低K材料，K值為2.5，這時候材料非常脆弱，不過台積電也已經開始了第三代的研發。
3、28nm工藝
台積電28nm工藝的第一個版本是低功耗的28nm LP，引入了多晶硅柵和二氧化硅硝酸鹽，將於今年六月底投產。
4、高K金屬柵極
高性能版本的28nm HP工藝才會第一次引入高K金屬柵極(HKMG)技術，預計今年九月份投產，之後十二月增加28nm HPL，同樣有HKMG。
5、22nm工藝
28nm之後台積電計劃進軍到22nm工藝，時間間隔大概是兩年，所以，首次投產應該會在2012年第三季度前後，但初期只有高性能版本，2013年第一季度末增加低功耗版本。
對於22nm和再往後的20nm，台積電將引入新的生產模型，首現就是第二代HKMG技術。
6、光刻技術
台積電會繼續使用193nm沉浸式光刻，如果超遠紫外線(EUV)或者多重電子束直接寫入技術能夠更成熟、成本更低，台積電會考慮引入。
蔣尚義透露，新技術成本相當高，比如單單一套EUV設備就需要8000萬美元左右。

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