國產內存公司將募集240億美元，押註DRAM、3D NAND及NOR閃存

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本土DRAM公司已經確定落戶武漢，這家公司不僅會有國內大基金的投資，中芯國際、湖北基金及其他投資公司也會投資，計劃募集資金高達240億美元，未來也不是只產DRAM內存，3D NAND閃存及NOR閃存都是國產內存公司的重要目標。

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在微處理器市場之外，國產芯片廠商下壹個目標就是進軍DRAM內存產業了，本土DRAM公司已經確定落戶武漢，這家公司不僅會有國內大基金的投資，中芯國際、湖北基金及其他投資公司也會投資，計劃募集資金高達240億美元，未來也不是只產DRAM內存，3D NAND閃存及NOR閃存都是國產內存公司的重要目標。

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國內內存公司經過六大政府的激烈競逐，最終落戶武漢市，將由DRAM產業經驗豐富的中芯國際副總趙海軍負責運營，以武漢新芯公司為建設主體。這家公司雖然現在規模不大，但未來潛力不可限量。集邦科技旗下DRAMeXchange指出，除了國家隊的大基金之外，中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等基金都會增加投資，遠期計劃是募集到240億美元的規模，長期產能目標是每月30萬片。（提供壹個對比數據，之前Hynix的無錫工廠失火時報道稱，無錫DRAM工廠月產能是13.5萬片晶圓，占全球的12%左右，所以說國內的這個內存晶圓廠長期產能目標是非常大的。）

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根據資料，武漢新芯公司成立於2006年，是湖北武漢市的重大戰略投資項目，2008年12寸晶圓廠投產，原本是中芯國際旗下的晶圓廠，2013年中芯國際推出運營，武漢新芯成為獨立公司，由武漢市政府負責。目前武漢新芯戰地面積531畝，現有壹座12寸晶圓廠，主產NOR閃存。2015年武漢新芯與Spansion飛索半導體合作開發3D NAND閃存，目前的12寸晶圓廠產能已經接近滿載，未來還會建設新的12寸晶圓廠。

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雖然我們還不清楚武漢新芯DRAM工廠的技術細節，不過DRAMeXchange預計未來他們將會匯集DRAM內存、3D NAND閃存及NOR閃存三大技術，成為中國半導體技術的領頭羊，而且至少擁有2座12寸晶圓廠。