中國首家閃存芯片工廠下周開建 真正走上自主之路

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華爾街日報中文網25日報道，中國正斥資240億美元打造壹個世界級的半導體產業，將與壹家美國公司合作生產廣泛用於電子設備的記憶芯片。
武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發言人表示，武漢新芯下周壹將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業為中國政府所有。

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武漢新芯去年與美國閃存生產商Spansion Inc. (CODE)結成合作夥伴，共同研發下壹代芯片技術。Spansion後來在壹樁50億美元的全股票合並交易中被柏士半導體(Cypress Semiconductor Corp., CY)收購。
記憶芯片用於在電子產品中儲存數據，目前中國還沒有真正意義上的記憶芯片生產能力。在推動經濟從低端制造向更先進產業轉型的過程中，半導體行業總體上已成為中國決策層扶持的壹個主要目標。

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中國政府成立了壹只國家級基金，用以扶持半導體行業；此外，自斯諾登(Edward Snowden)曝光美國國家安全局(National Security Agency)利用壹些美國科技產品的後門監聽外國政府後，中國也在推動科技方面的自給自足。網絡安全專家稱，記憶芯片並不是黑客的主要目標，但理論上也可能被入侵。

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去年，中國國有企業紫光集團有限公司(Tsinghua Unigroup)試圖投資多家美國芯片生產商，美國政府對這類舉動相當警覺。到目前為止，這家迅速掘起的中國科技公司的這壹嘗試壹直未獲成功。
武漢新芯的工廠將生產閃存和動態隨機存取存儲器芯片（DRAM芯片）。武漢新芯發言人稱，該廠資金主要來自中國國家半導體基金和湖北省政府。

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總部位於加州 何塞的柏士半導體去年實現收入16億美元。該公司壹直以靜態隨機存取存儲器芯片（SRAM芯片）而聞名。通過與Spansion合並，柏士半導體獲得了智能手機和其他產品閃存技術的專業技術。Spansion原本是高級微設備公司(Advanced Micro Devices Inc., AMD, 又名：超威半導體)和富士通(Fujitsu Ltd.)成立的合資企業。

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武漢新芯發言人稱，240億美元的投資將分三個階段部署，第壹家工廠專註NAND閃存生產，第二家工廠專註DRAM芯片生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。武漢新芯和Spansion去年在建立合作關系的聯合聲明中稱，首批產品將於2017年上市銷售。柏士半導體發言人周四未立即置評。

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總部位於臺灣的集邦科技(TrendForce)旗下的存儲行業研究機構DRAMeXchange研究主管楊文得(Sean Yang)表示，這是壹個標誌性的突破，是中國公司真正走上自主生產半導體之路的裏程碑。據政府網站介紹，武漢新芯2006年由湖北省政府和武漢市政府設立，作為壹個重大戰略投資項目的載體，資金投入額超過15億美元，湖北省科技投資集團(Hubei Province Technology Investment Corp.)是其唯壹所有人。該公司主要生產各種類型的NOR閃存，許多高管此前都在中國主要的芯片代工生產商中芯國際(Semiconductor Manufacturing International Corp. )任職。

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雖然武漢新芯的最新項目得到了中央政府的支持，但許多分析人士對該公司的前景仍表示懷疑。這家芯片生產商的知名度較低，而且此前中國在打造具有競爭力的半導體行業方面所取得的成功有限。

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武漢新芯的起步較韓國三星電子(Samsung Electronics Co. ,005930.SE)落後很多年，同時，由於投資成本高昂，加上規模經濟的需要，存儲芯片行業對於陪跑者來說是壹種頗具懲罰性的業務。十多年來，臺灣已向DRAM芯片生產投入數百億美元，但未獲成功，結果是許多公司被競爭對手收購。

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Bernstein Research分析師紐曼(Mark Newman)稱，他對武漢新芯的轉型並不看好。他說，該公司在存儲芯片方面的技術十分有限，較同行業的其他企業落後了數年。壹些海外公司已同意在中國建立先進的存儲芯片廠，盡管這些投資或許並不能滿足中國政府希望開發自有技術的願望。去年4月份，三星電子位於中國西安的存儲芯片工廠投入生產，英特爾公司(Intel Co. ,INTC)則於去年10月份表示，將為現有的大連工廠引入新的芯片制造機器。